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2021 年中国氮化镓 ( GaN ) 行业市场供需现状分析
发布时间:2021-08-05  ▏作者:admin  ▏阅读:

  GaN 晶圆制造产线汇总、氮化镓 ( GaN ) 产能、SiC、GaN 电子电力和 GaN 微波射频产值、SiC、GaN 电力电子器件下游应用领域

  氮化镓是一种无机物,化学式 GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙 ( direct bandgap ) 的半导体,自 1990 年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为 3.4 电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中。

  在 GaN 电力电子产线 条 GaN-on-Si 晶圆制造产线 条 GaN 电力电子产线正在建设。

  在 GaN 微波射频方面,SiC 半绝缘衬底折算 4 英寸产能约为 18 万片 / 年,GaN-on-SiC 外延片折算 4 英寸产能约为 20 万片 / 年,GaN-on-SiC 器件 / 模块折算 4 英寸产能约为 16 万片 / 年。2020 年,新能源汽车、PD 快充、5G 等下游应用市场增长超预期,国内现有产品商业化供给无法满足市场需求,尤其是 SiC 电力电子和 GaN 射频存在较大缺口。这也导致我国第三代半导体各环节国产化率较低,超过八成的产品依赖进口。

  目前,GaN 主要应用在射频及快充领域。SiC 重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场,随着下游特斯拉等品牌开始大量推进 SiC 解决方案,国内的厂商也快速跟进,以比亚迪为代表的整车厂商开始全方位布局,推动第三代半导体器件的在汽车领域加速。笫三代半导体器件在充电桩领域的渗透快于整车市场,主要应用是直流充电。

  国防军事与航天应用是我国 GaN 微波射频器件的主要应用领域,2020 年市场规模占整个 GaN 射频器件市场的 53%; 其次是无线基础设施,下游市场占比为 36%。

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